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发光二极管:近红外

近红外发光二极管(IRLED)以宽、中、窄输出模式制造,并采用坚固的密封封装。金属外壳是最佳散热的理想选择,可在-65°C至+150°C的温度范围内工作。光电二极管的IRLED提供广泛的线性功率输出,并可用于高速等级。

RoHS合规证书
型号 零件号 描述 输出功率 数据表 电话销售/
数字键
OD-800F OD-810-005 高相对辐射硬化窄角红外810nm发射器 3mW PDF 请打电话
OD-800L OD-810-003 Hi-Rel抗辐射中角红外810nm发射器 3mW PDF 请打电话
OD-800W OD-810-002 高相对辐射硬化广角红外810nm发射器 3mW PDF 请打电话
OD-850F OD-850-004 窄角度至-46 850nm发射器 30mW PDF 参见数字钥匙
OD-850FHT OD-850-010 窄角度至-46 850nm发射极,高温 22mW PDF 参见数字钥匙
OD-850L OD-850-003 中等角度至-46 850nm发射器 35mW PDF 参见数字钥匙
OD-850LHT OD-850-009 中角度至-46 850nm发射极,高温 25.5mW PDF 参见数字钥匙
OD-850W OD-850-002 广角TO-46 850nm发射器 40兆瓦 PDF 参见数字钥匙
OD-850WHT OD-850-008 广角TO-46 850nm发射极,高温 27.5mW PDF 参见数字钥匙